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SI1023CX-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 10+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 100+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
| 500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1000+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 5000+ | CNY0.911 (CNY1.0294) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1023CX-T1-GE3复制
制造商标准货期13 周
库存编号
切割卷带3772734
切割卷带3772734RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道450mA
连续漏极电流 Id P沟道450mA
漏源通态电阻N沟道0.63ohm
漏源导通电阻P沟道0.63ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道220mW
耗散功率P沟道220mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
450mA
漏源导通电阻P沟道
0.63ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
220mW
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
450mA
漏源通态电阻N沟道
0.63ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
220mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001