打印页面
SI1012CR-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
72,518 有货
需要更多？
72518 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.370 | CNY11.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
| 50+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
| 100+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 500+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 1500+ | CNY0.981 (CNY1.1085) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.961 (CNY1.0859) |
| 9000+ | CNY0.848 (CNY0.9582) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The SI1012CR-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 1.2V Rated voltage
- 100% Rg tested
- 1000V Gate-source ESD protected
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SC-75A
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
240mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.396ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363