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IRF9530PBF-BE3.
场效应管, MOSFET, P沟道, 100V, 12A, TO-220ABN/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t
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|---|---|
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技术规格
漏源电压, Vds
100V
晶体管安装
Through Hole
功率耗散
88W
合规
-
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002882