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SSM6L36FE,LM(T
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6L36FE,LM(T复制
库存编号
整卷4274843
整卷4274843RL
复卷4387196RL
切割卷带4387196
也称为SSM6L36FE, SSM6L36FE,LM
您的零件号
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8,734 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 整卷 | 5 | CNY0.451 | CNY0.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 50+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 250+ | CNY0.832 (CNY0.9402) |
| 1000+ | CNY0.731 (CNY0.826) |
| 2000+ | CNY0.646 (CNY0.730) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY0.451 (CNY0.5096) |
| 12000+ | CNY0.442 (CNY0.4995) |
如果您需要购买较少数量产品，您可以选择其他包装类型
品項附註
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
330mA
漏源导通电阻P沟道
1.31ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
0.63ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003