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STS8DN3LLH5
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号STS8DN3LLH5
库存编号
复卷3367091RL
切割卷带3367091
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.640 | CNY15.64 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.640 (CNY17.6732) |
| 10+ | CNY9.930 (CNY11.2209) |
| 100+ | CNY6.910 (CNY7.8083) |
| 500+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 1000+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
| 5000+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
品項附註
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产品信息
制造商产品编号STS8DN3LLH5
库存编号
复卷3367091RL
切割卷带3367091
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道10A
连续漏极电流 Id P沟道10A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.7W
耗散功率P沟道2.7W
工作温度最高值150°C
产品范围STripFET V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.7W
产品范围
STripFET V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
10A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454