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双MOSFET :
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耗散功率P沟道
=2.7W
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.640(CNY17.6732) 10+ CNY9.930(CNY11.2209) 100+ CNY6.910(CNY7.8083) 500+ CNY5.590(CNY6.3167) 1000+ CNY4.770(CNY5.3901) 更多价格信息... | N通道 | 30V | 30V | 10A | 10A | 0.019ohm | SOIC | 8引脚 | 2.7W | 2.7W | 150°C | STripFET V Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.540(CNY26.6002) 10+ CNY15.240(CNY17.2212) 100+ CNY10.520(CNY11.8876) 500+ CNY8.770(CNY9.9101) 1000+ CNY8.160(CNY9.2208) | 四N通道 | 60V | 60V | 10.6A | 10.6A | 0.022ohm | V-DFN5045 | 12引脚 | 2.7W | 2.7W | 150°C | - | ||||||
