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STD150N3LLH6
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 80 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号STD150N3LLH6复制
库存编号
复卷3367017RL
切割卷带3367017
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产品信息
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库存编号
复卷3367017RL
切割卷带3367017
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻2400µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散110W
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET VI DeepGATE
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
产品范围
STripFET VI DeepGATE
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
工作温度最高值
175°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035