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SCTWA40N120G2V-4
碳化硅MOSFET, N通道, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCTWA40N120G2V-4
库存编号3680099
产品范围TrenchFET Gen II
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY125.370 (CNY141.6681) |
| 5+ | CNY104.900 (CNY118.537) |
| 10+ | CNY88.950 (CNY100.5135) |
| 50+ | CNY85.190 (CNY96.2647) |
| 100+ | CNY81.240 (CNY91.8012) |
| 250+ | CNY78.870 (CNY89.1231) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY125.37 (CNY141.67 含税)
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCTWA40N120G2V-4
库存编号3680099
产品范围TrenchFET Gen II
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续45A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型HiP247LL
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散-
工作温度最高值200°C
产品范围TrenchFET Gen II
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
45A
漏源接通状态电阻
0.07ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
-
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247LL
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
-
产品范围
TrenchFET Gen II
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00443