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SCT4062KWATL
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 24 A, 1.2 kV, 0.081 ohm, TO-263
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY82.080 | CNY82.08 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY82.080 (CNY92.7504) |
| 5+ | CNY70.970 (CNY80.1961) |
| 10+ | CNY59.860 (CNY67.6418) |
| 50+ | CNY53.960 (CNY60.9748) |
| 100+ | CNY48.050 (CNY54.2965) |
| 250+ | CNY47.090 (CNY53.2117) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT4062KWATL
库存编号
复卷4365769RL
切割卷带4365769
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续24A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.081ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.8V
功率耗散93W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
SCT4062KWATL is a Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. It has about 40% reduction in on-resistance and about 50% reduction in switching loss compared to conventional products. The 15V gate-source voltage makes application design easier. Typical applications include solar inverters, DC/DC converters, switch-mode power supplies, induction heating, and motor drives.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Fast reverse recovery, easy to parallel, simple to drive
- Wide creepage distance = min 4.7mm
- Drain - source breakdown voltage is 1200V min at VGS = 0V, ID = 5.3mA, Tvj = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 10μA typ at Tvj = 150°C
- Gate threshold voltage is 4.8V max at VDS = 10V, ID = 6.45mA
- Static drain - source on - state resistance is 62mohm typ at Tvj = 25°C
- Gate input resistance is 4ohm typ at f = 1MHz, open drain
- Range of storage temperature: -40 to +175°C
- TO-263 package
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
24A
漏源接通状态电阻
0.081ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
93W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01