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RD3S100AAFRATL
功率场效应管, MOSFET, N通道, 190 V, 10 A, 0.182 ohm, TO-252, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY23.730 | CNY23.73 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.730 (CNY26.8149) |
| 10+ | CNY15.520 (CNY17.5376) |
| 100+ | CNY11.620 (CNY13.1306) |
| 500+ | CNY10.170 (CNY11.4921) |
| 1000+ | CNY8.560 (CNY9.6728) |
| 5000+ | CNY8.290 (CNY9.3677) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
TO-252
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
85W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
190V
漏源接通状态电阻
0.182ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005