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QH8KA1TCR
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 4.5 A, 0.073 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.160 | CNY40.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 10+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 100+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 500+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 1000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 5000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8KA1TCR复制
库存编号
复卷4180273RL
切割卷带4180273
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.073ohm
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
TSMT
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.073ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001