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BM3G005MUV-LBE2

GaN HEMT 功率级，VQFN046V8080，6.83 V 至 30 V，1 通道，1 输出，TO252-J

ROHM
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ROHM BM3G005MUV-LBE2 GaN HEMT 功率级，VQFN046V8080，6.83 V 至 30 V，1 通道，1 输出，TO252-J
制造商ROHM
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库存编号4633476
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产品信息

  • ROHM
    制造商ROHM
    制造商产品编号BM3G005MUV-LBE2复制
    库存编号4633476
    技术数据表

    Data Sheet

    芯片功能GaN HEMT功率阶段
    电源电压最小值6.83V
    电源电压最大值30V
    集成电路封装类型VQFN046V8080
    针脚数46引脚
    工作温度最小值-40°C
    工作温度最高值105°C
    产品范围-
    汽车质量标准-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 芯片功能

    GaN HEMT功率阶段

    电源电压最大值

    30V

    针脚数

    46引脚

    工作温度最高值

    105°C

    汽车质量标准

    -

    电源电压最小值

    6.83V

    集成电路封装类型

    VQFN046V8080

    工作温度最小值

    -40°C

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Japan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85423990
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00001