打印页面
BM3G005MUV-LBE2
GaN HEMT 功率级，VQFN046V8080，6.83 V 至 30 V，1 通道，1 输出，TO252-J
97 有货
需要更多？
97 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY114.440 (CNY129.3172) |
| 10+ | CNY84.440 (CNY95.4172) |
| 25+ | CNY82.260 (CNY92.9538) |
| 50+ | CNY80.080 (CNY90.4904) |
| 100+ | CNY77.890 (CNY88.0157) |
| 250+ | CNY76.340 (CNY86.2642) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY114.44 (CNY129.32 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BM3G005MUV-LBE2复制
制造商标准货期40 周
库存编号4633476
技术数据表
芯片功能GaN HEMT功率阶段
电源电压最小值6.83V
电源电压最大值30V
集成电路封装类型VQFN046V8080
针脚数46引脚
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
芯片功能
GaN HEMT功率阶段
电源电压最大值
30V
针脚数
46引脚
工作温度最高值
105°C
汽车质量标准
-
电源电压最小值
6.83V
集成电路封装类型
VQFN046V8080
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001