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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号R1LV0208BSA-5SI#B1复制
库存编号4146923
技术数据表
SRAM类型LPSRAM
存储密度2Mbit
记忆配置256Kword x 8位
IC 外壳 / 封装STSOP
针脚数32引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
R1LV0208BSA-5SI#B1 is a 2Mb advanced LPSRAM (256k word x 8bit). The R1LV0208BSA is a low voltage 2Mbit static RAM organized as 262, 144-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LV0208BSA has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LV0208BSA is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- Small stand-by current is 1µA (3.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
技术规格
SRAM类型
LPSRAM
记忆配置
256Kword x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
2Mbit
IC 外壳 / 封装
STSOP
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001

