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HIP2100EIBZ
栅极驱动器, 2 放大器, 隔离式, 高压侧和低压侧, MOSFET, 8 引脚, SOIC
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY36.100 (CNY40.793) |
| 10+ | CNY27.550 (CNY31.1315) |
| 25+ | CNY25.400 (CNY28.702) |
| 50+ | CNY24.220 (CNY27.3686) |
| 100+ | CNY23.030 (CNY26.0239) |
| 250+ | CNY21.850 (CNY24.6905) |
| 500+ | CNY20.520 (CNY23.1876) |
| 1000+ | CNY20.110 (CNY22.7243) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号HIP2100EIBZ复制
库存编号3941880
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流2A
灌电流2A
电源电压最小值9V
电源电压最大值14V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟20ns
输出延迟20ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
2A
电源电压最小值
9V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
20ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2A
电源电压最大值
14V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
20ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001