打印页面
UG3SC120009K4S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 120 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
469 有货
需要更多？
469 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY448.010 (CNY506.2513) |
| 5+ | CNY417.280 (CNY471.5264) |
| 10+ | CNY386.540 (CNY436.7902) |
| 50+ | CNY378.810 (CNY428.0553) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY448.01 (CNY506.25 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UG3SC120009K4S
库存编号4750191
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续120A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.011ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散789W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
120A
漏源接通状态电阻
0.011ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
789W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001