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NXH010P120MNF1PTG
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 半桥, 双N通道, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH010P120MNF1PTG复制
库存编号3973630
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续114A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0105ohm
针脚数18引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散250W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
114A
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
250W
产品范围
-
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01134