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NVMFD6H846NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 31 A, 31 A, 0.015 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.120 | CNY19.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.120 (CNY21.6056) |
| 10+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
| 100+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 500+ | CNY7.700 (CNY8.701) |
| 1000+ | CNY7.370 (CNY8.3281) |
| 5000+ | CNY7.030 (CNY7.9439) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD6H846NLT1G
库存编号
复卷3528519RL
切割卷带3528519
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道31A
连续漏极电流 Id P沟道31A
漏源通态电阻N沟道0.015ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
31A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
31A
漏源通态电阻N沟道
0.015ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034