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NVH4L060N090SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 46 A, 900 V, 0.084 ohm, TO-247
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVH4L060N090SC1
库存编号3588884
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续46A
漏源电压, Vds900V
漏源接通状态电阻0.084ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散221W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
46A
漏源接通状态电阻
0.084ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
900V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
221W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002