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NVBG080N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG080N120SC1
库存编号
复卷3528514RL
切割卷带3528514
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
859 有货
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859 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY86.350 | CNY86.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY86.350 (CNY97.5755) |
| 5+ | CNY82.610 (CNY93.3493) |
| 10+ | CNY78.870 (CNY89.1231) |
| 50+ | CNY75.130 (CNY84.8969) |
| 100+ | CNY71.390 (CNY80.6707) |
| 250+ | CNY67.640 (CNY76.4332) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG080N120SC1
库存编号
复卷3528514RL
切割卷带3528514
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散179W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
179W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001845