打印页面
NTZD3154NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
85,347 有货
72,000 您现在可以预订货品了
2 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
85,345 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.710 | CNY13.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
| 50+ | CNY1.720 (CNY1.9436) |
| 250+ | CNY1.090 (CNY1.2317) |
| 1000+ | CNY0.942 (CNY1.0645) |
| 2000+ | CNY0.831 (CNY0.939) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454