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NTUD3169CZT5G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
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| 切割卷带 | 5 | CNY1.380 | CNY6.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 50+ | CNY0.947 (CNY1.0701) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTUD3169CZT5G复制
库存编号
复卷2533207RL
切割卷带2533207
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道220mA
漏源通态电阻N沟道0.75ohm
漏源导通电阻P沟道0.75ohm
晶体管封装类型SOT-963
针脚数6引脚
耗散功率N沟道125mW
耗散功率P沟道125mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
漏源导通电阻P沟道
0.75ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
125mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
漏源通态电阻N沟道
0.75ohm
晶体管封装类型
SOT-963
耗散功率N沟道
125mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536