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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.050 | CNY35.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
| 50+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 100+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 500+ | CNY2.050 (CNY2.3165) |
| 1500+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
| 9000+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
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产品概述
NTR4171PT1G 是一款P沟道功率MOSFET, -30V漏-源极电压, -2.2A连续漏极电流。适用于负载开关, 电池和负载管理应用, 例如手机, PDA和媒体播放器等便携式设备。
- 低RDS (ON) (低栅极电压)
- 低阈值电压
- 高功率, 高电流处理能力
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.075ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.15V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
NTR4171PT1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000033
