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NTMFS4D2N10MDT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 113 A, 3800 µohm, DFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY29.250 | CNY29.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY29.250 (CNY33.0525) |
| 10+ | CNY19.050 (CNY21.5265) |
| 100+ | CNY13.410 (CNY15.1533) |
| 500+ | CNY11.210 (CNY12.6673) |
| 1000+ | CNY9.760 (CNY11.0288) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
113A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
132W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001