打印页面
NTHL045N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
323 有货
需要更多？
323 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY97.540 (CNY110.2202) |
| 5+ | CNY81.590 (CNY92.1967) |
| 10+ | CNY65.640 (CNY74.1732) |
| 50+ | CNY62.860 (CNY71.0318) |
| 100+ | CNY60.080 (CNY67.8904) |
| 250+ | CNY58.880 (CNY66.5344) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY97.54 (CNY110.22 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHL045N065SC1复制
库存编号3929792
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续66A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.032ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散291W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
66A
漏源接通状态电阻
0.032ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
291W
产品范围
EliteSiC Series
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072