打印页面
NTE4153NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, 表面安装
44,968 有货
需要更多？
200 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
44,768 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY0.670 | CNY67.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY0.670 (CNY0.7571) |
| 500+ | CNY0.442 (CNY0.4995) |
| 1500+ | CNY0.434 (CNY0.4904) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.611 (CNY0.6904) |
| 9000+ | CNY0.599 (CNY0.6769) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The NTE4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 20V drain source voltage and 915mA continuous drain current. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
915mA
晶体管封装类型
SC-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
760mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
NTE4153NT1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005