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NTE4153NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 50+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 100+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 500+ | CNY0.867 (CNY0.9797) |
| 1500+ | CNY0.850 (CNY0.9605) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTE4153NT1G复制
库存编号
切割卷带2464118
切割卷带2464118RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续915mA
漏源接通状态电阻0.23ohm
晶体管封装类型SC-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值760mV
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTE4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 20V drain source voltage and 915mA continuous drain current. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
915mA
晶体管封装类型
SC-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
760mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005