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NTD3055L104T4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品概述
NTD3055L104T4G是一款N沟道功率MOSFET, 设计用于低电压, 高速开关应用, 适用于电源, 转换器, 电机控制, 桥接电路等应用。
- 低RDS (ON)
- 低VDS (ON)
- 低VSD
- 缩短二极管反向恢复时间
- 低反向恢复存储电荷
- 工作温度范围: -55至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
48W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.104ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
NTD3055L104T4G 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033