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NTD20P06LT4G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.280 | CNY31.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.280 (CNY7.0964) |
| 50+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 100+ | CNY4.460 (CNY5.0398) |
| 500+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 1000+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY3.530 (CNY3.9889) |
| 7500+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
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产品概述
NTD20P06LT4G是一款-60V单P沟道功率MOSFET，设计用于桥式电路、电源和动力电机控制以及DC-DC转换。该MOSFET可在雪崩和换向模式下承受高能量。
- 低栅极电荷, 快速开关
- AEC-Q101合规
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
15.5A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000462