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| 100+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 500+ | CNY0.763 (CNY0.8622) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTA4151PT1G
库存编号2317622
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续760mA
漏源接通状态电阻0.36ohm
晶体管封装类型SC-75
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值450mV
功率耗散301mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTA4151PT1G is a P-channel Small Signal MOSFET offers -20V drain source voltage and -760A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, DC-to-DC conversion, small drive circuits, battery operated systems such as cell phones, PDAs and digital cameras.
- Low RDS (ON) for higher efficiency and longer battery life
- Small outline package
- Standard gullwing package
- ESD protected gate
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
760mA
晶体管封装类型
SC-75
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
301mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.36ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
450mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0025

