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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY1.210 | CNY1.21 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 50+ | CNY0.979 (CNY1.1063) |
| 100+ | CNY0.747 (CNY0.8441) |
| 500+ | CNY0.481 (CNY0.5435) |
| 1500+ | CNY0.472 (CNY0.5334) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.329 (CNY0.3718) |
| 9000+ | CNY0.323 (CNY0.365) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTA4001NT1G复制
库存编号
整卷2442173
复卷2533175RL
切割卷带2533175
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续238mA
漏源接通状态电阻3ohm
晶体管封装类型SOT-416
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NTA4001NT1G is a single, N-channel, gate ESD protection, small signal, MOSFET. The applications include power management load switch, level shift, and portable applications such as cell phones, media players, digital cameras, PDAs, video games, handheld computers, etc.
- Low gate charge for fast switching
- Small 1.6 x 1.6 mm footprint, ESD protected gate
- Drain-to-source breakdown voltage is 20V min (VGS = 0V, ID = 100A, TJ = 25°C)
- Gate threshold voltage range from 0.5 to 1.5V (VDS = 3V, ID = 100µA, TJ = 25°C)
- Pulsed drain current is 714mA (tP <lt/>10µs, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 80mS typ (VDS = 3V, ID = 10mA, TJ = 25°C)
- Reverse transfer capacitance is 3.5pF typ (VDS = 5V, f = 1MHz, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Forward diode voltage is 0.66V typ (VGS = 0V, IS = 10mA, TJ = 25°C)
- SC-75 package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
238mA
晶体管封装类型
SOT-416
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
NTA4001NT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000072
