打印页面
NSS60600MZ4T1G
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
311 有货
需要更多？
311 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.610 | CNY7.61 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.610 (CNY8.5993) |
| 10+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
| 50+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 200+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 500+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1000+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 3000+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The NSS60600MZ4T1G is a 6A PNP Bipolar Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is a combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Minimized power loss
- High DC current gain
- Very low current requirements
- High current-gain bandwidth product
- Ideal for high frequency designs
- Superior gain linearity
- Minimal distortion
- Halogen-free
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
6A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
2W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
NSS60600MZ4T1G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000295