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NDT2955
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.020 | CNY20.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 50+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 250+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 1000+ | CNY2.250 (CNY2.5425) |
| 2000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 12000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDT2955
库存编号
整卷2323215
复卷9846271RL
切割卷带9846271
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散3W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NDT2955是一款表面安装的60V P通道增强模式场效应晶体管，采用SOT-223封装。晶体管采用高压沟槽工艺生产，适用于电源管理应用。
- 高密度单元设计, 极低Rds(ON)
- 漏极至源极电压 (Vds): -60V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流(ld): -2.5A
- 3W功耗 (pd)
- Vgs -4.5V时, 低导通电阻163mohm
- 工作温度范围: -55°C到150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000199