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MMUN2233LT1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.897 | CNY4.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
| 50+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
| 100+ | CNY0.479 (CNY0.5413) |
| 500+ | CNY0.285 (CNY0.322) |
| 1500+ | CNY0.280 (CNY0.3164) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.253 (CNY0.2859) |
| 9000+ | CNY0.248 (CNY0.2802) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMUN2233LT1G复制
库存编号
整卷2317870
复卷1651085RL
切割卷带1651085
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R20.1电阻比率
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散400mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
MMUN2233LT1G 是一款 MMUN2233L 系列 NPN 晶体管，集成了单片偏置电阻网络。其设计旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些独立元件集成到单个器件中，从而消除了这些单独组件。使用BRT可同时降低系统成本和电路板占用空间。
- 简化电路设计，节省电路板空间，减少元器件数量
- 集电极-基极电压最大为 50VDC（TA = 25°C，Q1 和 Q2 共用）
- 集电极-发射极电压最大为 50VDC（TA = 25°C，Q1 和 Q2 共用）
- 集电极电流 - 连续最大值为 100mAdc（TA = 25°C，Q1 和 Q2 共用）
- 输入正向电压最大为 30VDC（TA = 25°C，Q1 和 Q2 共用）
- 输入反向电压最大为 5VDC（TA = 25°C，Q1 和 Q2 相同）
- 器件总功耗最大为 230mW（TA = 25°C）
- 直流电流增益为 200（IC = 5.0mA，VCE = 10V，TA = 25°C）
- 输入电阻范围为 3.3 至 6.1kohm（TA = 25°C，Q1 和 Q2 共用）
- SOT-23 封装，结温范围 -55 至 +150°C
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
400mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
-
湿气敏感性等级
-
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
4.7kohm
电阻比 R1/R2
0.1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MMUN2233LT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000091