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MMBT3904LT3G
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.644 | CNY3.22 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.644 (CNY0.7277) |
| 50+ | CNY0.397 (CNY0.4486) |
| 250+ | CNY0.292 (CNY0.330) |
| 1000+ | CNY0.226 (CNY0.2554) |
| 5000+ | CNY0.188 (CNY0.2124) |
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产品概述
The MMBT3904LT3G is a 40V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- 60VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 900mADC Peak collector current
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
MMBTxxxx
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
300MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MMBT3904LT3G 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454