打印页面
MMBD301LT1G
二极管, 射频肖特基, 屏障, 单, 30 V, 200 mA, 450 mV, 0.9 pF, SOT-23
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
11,794 有货
需要更多？
260 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
11534 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.348 | CNY1.74 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.348 (CNY0.3932) |
| 50+ | CNY0.263 (CNY0.2972) |
| 250+ | CNY0.247 (CNY0.2791) |
| 1000+ | CNY0.207 (CNY0.2339) |
| 9000+ | CNY0.203 (CNY0.2294) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
技术规格
二极管配置
单
正向电流
200mA
二极管电容
0.9pF
引脚数
3引脚
工作温度最高值
125°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
反向电压
30V
正向电压
450mV
二极管封装类型
SOT-23
二极管安装
表面安装
产品范围
MMBD3
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033