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FQT7N10LTF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.390 | CNY8.39 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 10+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 100+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 500+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 1000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 5000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
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产品概述
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.35ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FQT7N10LTF 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000211