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FQP27P06
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, 通孔
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产品概述
FQP27P06是一款采用TO-220封装的通孔式-60V P沟道QFET MOSFET。该器件采用平面条纹与DMOS技术，经优化可最小化导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制及可变开关电源应用。
- 典型反向传导电容低至120pF
- 低栅极电荷，典型值33nC
- 漏-源电压(Vds): -60V
- 栅-源电压: 25V
- 连续漏极电流(ld): -27A
- 功耗: 120W
- Vgs -10V时, 低导通电阻55mohm
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
27A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
120W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00279