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FQB34N20LTM.
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 31 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品概述
The FQB34N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers
- 100% avalanche tested
- 55nC typical low gate charge
- 52pF typical low Crss
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
31A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
180W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.075ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
2引脚
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143