打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。

24,017 有货
需要更多?
100 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
84 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
21344 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
2489 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.270 | CNY11.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 50+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY0.957 (CNY1.0814) |
| 1500+ | CNY0.938 (CNY1.0599) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.747 (CNY0.8441) |
| 9000+ | CNY0.701 (CNY0.7921) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FDV305N is a N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
900mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.22ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDV305N 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000077
