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FDV304P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.980 | CNY9.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 50+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 100+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 500+ | CNY0.890 (CNY1.0057) |
| 1500+ | CNY0.873 (CNY0.9865) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.648 (CNY0.7322) |
| 9000+ | CNY0.634 (CNY0.7164) |
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产品概述
FDV303P是一款采用SOT-23封装的表面贴装P沟道逻辑电平增强型数字场效应晶体管。该器件采用高单元密度DMOS技术，专为最小化导通电阻并维持低栅极驱动条件而优化。即使在2.5V的低栅极驱动电压下仍保持卓越的导通电阻性能。FDV303P专为笔记本电脑、手机及计算机等电池供电应用设计。
- 极低门驱动要求，可在3V电路中直接运行
- 漏-源电压(Vds): -25V
- 栅-源电压: -8V
- 连续漏极电流(ld): -460mA
- 功耗（pd）: 350mW
- Vgs -2.7V时, 低导通电阻1.22ohm
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
460mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
2.7V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
1.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
860mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDV304P 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045