打印页面
FDV301N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
316,585 有货
87,000 您现在可以预订货品了
24027 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
1830 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
290728 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.270 | CNY6.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
| 50+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 100+ | CNY0.778 (CNY0.8791) |
| 500+ | CNY0.457 (CNY0.5164) |
| 1500+ | CNY0.448 (CNY0.5062) |
| 3000+ | CNY0.426 (CNY0.4814) |
| 7500+ | CNY0.404 (CNY0.4565) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.487 (CNY0.5503) |
| 9000+ | CNY0.478 (CNY0.5401) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
FDV301N是一款表面安装N沟道逻辑电平增强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 专门设计用于减少导通电阻并保持低栅极电荷, 已提供出色的开关性能, 这一N通道FET可替代几个不同的数字晶体管, 带有不同的偏置电阻值. FDV301N适用于低电压与电源管理应用.
- 漏极至源极电压 (Vds): 25V
- 栅极-源极电压: 8V
- 连续漏极电流(ld): 220mA
- 功耗 (Pd): 350mW
- Vgs 4.5V时, 低导通电阻 3.1ohm
- 工作温度范围: -55°C到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
220mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.06V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDV301N 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033