打印页面
FDT457N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, 表面安装
8,593 有货
需要更多？
8593 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.790 | CNY28.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 50+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 250+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 1000+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 2000+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FDT457N is a 30V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. It is well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits and DC motor control. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 42°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 12°C/W thermal resistance, junction to case
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDT457N 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000274