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FDS6898A.
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.260 | CNY16.26 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.260 (CNY18.3738) |
| 10+ | CNY10.390 (CNY11.7407) |
| 25+ | CNY9.240 (CNY10.4412) |
| 50+ | CNY8.070 (CNY9.1191) |
| 100+ | CNY6.900 (CNY7.797) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6898A.复制
库存编号
复卷1471056RL
切割卷带1471056
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道9.4A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDS6898A 是一款双N沟道逻辑电平PWM优化MOSFET, 采用PowerTrench® 工艺制造。经过专门设计, 最大化降低导通状态电阻, 并保持出色的开关性能。该器件适用于需要低功率损耗和快速开关性能, 低压和电池供电应用。
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
9.4A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FDS6898A. 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000217