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FDS6679AZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.580 | CNY32.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.580 (CNY7.4354) |
| 50+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 100+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
| 500+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 1000+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
品項附註
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产品概述
The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 6kV typical HBM ESD protection level
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
7700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDS6679AZ 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000225