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FDS4465.
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.010 | CNY15.01 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.010 (CNY16.9613) |
| 10+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 100+ | CNY6.580 (CNY7.4354) |
| 500+ | CNY5.230 (CNY5.9099) |
| 1000+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 5000+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4465.
库存编号
复卷1471051RL
切割卷带1471051
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续13.5A
漏源接通状态电阻8500µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDS4465 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8 to 8V). It is suitable for load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High current and power handling capability
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
8500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000214