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FDN360P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.180 | CNY15.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.180 (CNY3.5934) |
| 50+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 100+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 500+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
| 1500+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 3000+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 7500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 9000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN360P
库存编号
整卷2438448
复卷9846336RL
切割卷带9846336
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench® MOSFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDN360P是一款表面安装单P沟道PowerTrench MOSFET, superSOT-23封装. PowerTrench工艺可以最大限度地降低导通电阻, 并保持较低的栅极电荷, 实现卓越的开关性能. 该器件非常适合低电压和电池供电的应用.
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- 低栅极电荷6.2nC (典型值)
- 漏极至源极电压 (Vds): -30V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流 (Id): -2A (25°C)
- 功耗 (Pd): 500mW
- 100mohm导通电阻 (Vgs -4.5V)
- 工作温度范围: -55°C到150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench® MOSFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454