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FDN304P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.300 | CNY21.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 50+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 100+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 500+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 1500+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 9000+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
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产品概述
The FDN304P is P channel 1.8V specified PowerTrench MOSFET in superSOT-3 package. This product features fast switching speed, high performance trench technology for extremely low Rds(on), thus suite for applications such as battery management, load switch and battery power management.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Low on state resistance of 65mohm at Vgs -1.8V
- Continuous drain current of -2.4A
- Maximum power dissipation of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091