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FDMS86255
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY30.770 | CNY153.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY30.770 (CNY34.7701) |
| 50+ | CNY26.700 (CNY30.171) |
| 100+ | CNY22.620 (CNY25.5606) |
| 500+ | CNY17.760 (CNY20.0688) |
| 1500+ | CNY17.410 (CNY19.6733) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86255
库存编号
复卷2825179RL
切割卷带2825179
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻0.0124ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散113W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
FDMS86255 是一款 N 沟道、屏蔽栅极、POWERTRENCH MOSFET。这款 N 沟道 MOSFET 采用 onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺生产，该工艺结合了屏蔽栅极技术。该工艺针对导通电阻进行了优化，但仍能保持出色的开关性能。典型应用包括 OringFET / 负载开关、同步整流、DC-DC 转换。
- 先进的封装和硅组合可实现低 RDS（on）和高效率
- 新一代增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
- 100%经过UIL测试
- 在TA = 25°C 时，漏极至源极电压为 150V
- 在TA = 25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在连续、TC = 25°C 时，漏极电流为 62A
- 在TA = 25°C 时，单脉冲雪崩能量为 541mJ
- 在TC = 25°C 时，功率耗散为 113W
- PQFN8封装
- 工作和存储结温范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
113W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0124ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004