FDMD85100

双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 48 A, 9900 µohm

图片仅用于图解说明,详见产品说明。
ONSEMI FDMD85100
ONSEMI FDMD85100
ONSEMI FDMD85100
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMD85100
库存编号3003996
产品范围PowerTrench Series
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已停产
  • 制造商ONSEMI
    制造商产品编号FDMD85100
    库存编号3003996
    产品范围PowerTrench Series
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压Vds N沟道100V
    漏源电压Vds P沟道-
    连续漏极电流 Id N沟道48A
    连续漏极电流 Id P沟道-
    漏源通态电阻N沟道9900µohm
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型QFN
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道50W
    耗散功率P沟道-
    工作温度最高值150°C
    产品范围PowerTrench Series
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
  • FDMD85100 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. This device includes two N-channel MOSFETs in a dual power (5mm x 6mm) packages. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Typical applications include synchronous buck, primary switch of half/ full bridge converter for telecom, motor bridge, primary switch of half/full bridge converter for BLDC motor, MV POL, 48L synchronous buck switch and half/full bridge secondary synchronous rectification.

    • Max rDS(on) = 9.9mohm at VGS=10V, Id=10.4A at Q1: N-channel
    • Max rDS(on) = 16.4mohm at VGS=6V, Id = 8A at Q1: N-channel
    • Max rDS(on) = 9.9mohm at VGS=10V, Id = 10.4A at Q2: N-channel
    • Max rDS(on) = 16.4mohm at VGS = 6V, Id = 8A at Q2: N-channel
    • Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
    • Kelvin high side MOSFET drive pin out capability
  • 通道类型

    N通道

    漏源电压Vds P沟道

    -

    连续漏极电流 Id P沟道

    -

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    -

    产品范围

    PowerTrench Series

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    漏源电压Vds N沟道

    100V

    连续漏极电流 Id N沟道

    48A

    漏源通态电阻N沟道

    9900µohm

    晶体管封装类型

    QFN

    耗散功率N沟道

    50W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Philippines
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85413000
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.0005