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FDMD85100
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 48 A, 9900 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMD85100复制
库存编号3003996
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道48A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道9900µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型QFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
FDMD85100 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. This device includes two N-channel MOSFETs in a dual power (5mm x 6mm) packages. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Typical applications include synchronous buck, primary switch of half/ full bridge converter for telecom, motor bridge, primary switch of half/full bridge converter for BLDC motor, MV POL, 48L synchronous buck switch and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Max rDS(on) = 9.9mohm at VGS=10V, Id=10.4A at Q1: N-channel
- Max rDS(on) = 16.4mohm at VGS=6V, Id = 8A at Q1: N-channel
- Max rDS(on) = 9.9mohm at VGS=10V, Id = 10.4A at Q2: N-channel
- Max rDS(on) = 16.4mohm at VGS = 6V, Id = 8A at Q2: N-channel
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- Kelvin high side MOSFET drive pin out capability
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
48A
漏源通态电阻N沟道
9900µohm
晶体管封装类型
QFN
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005