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FDC6561AN
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.320 | CNY21.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
| 50+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 100+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 500+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 1500+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 9000+ | CNY1.610 (CNY1.8193) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6561AN
库存编号
整卷2323165
复卷9844813RL
切割卷带9844813
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.082ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.082ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000043